SUM110N06-3M9H-E3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (380 Рейтинги)

SUM110N06-3M9H-E3

Обзор продукта

12786136

Номер детали

SUM110N06-3M9H-E3-DG

Производитель

Vishay Siliconix
SUM110N06-3M9H-E3

Описание

MOSFET N-CH 60V 110A TO263
N-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Одиночные FET, MOSFET
SUM110N06-3M9H-E3 Технический паспорт
Количество
Минимум 1

Покупка и запрос

Запрос котировок (RFQ)

Вы можете отправить свой запрос на получение коммерческого предложения (RFQ) непосредственно на странице детали продукта или на странице RFQ. Наша команда продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Мы предлагаем несколько удобных способов оплаты, включая PayPal (рекомендуется для новых клиентов), кредитные карты и банковские переводы (T/T) в USD, EUR, HKD и других валютах.

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

После отправки запроса на получение коммерческого предложения (RFQ) вы получите письмо на свой электронный адрес о том, что мы получили ваш запрос. Если вы его не получили, возможно, наш адрес электронной почты был неправильно определен как спам. Пожалуйста, проверьте папку со спамом и добавьте наш адрес электронной почты [email protected] в белый список, чтобы гарантировать получение нашего коммерческого предложения. В связи с возможными колебаниями запасов и цен, нашей команде продаж необходимо повторно подтвердить ваш запрос или заказ и вовремя отправить вам любые обновления по электронной почте. Если у вас есть другие вопросы или вам нужна дополнительная помощь, пожалуйста, дайте нам знать.

Запросить котировку(Отправка завтра)
Количество
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

SUM110N06-3M9H-E3 Технические характеристики

Категория ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель Vishay

Упаковка -

Серия TrenchFET®

Статус продукта Obsolete

Тип полевых транзисторов N-Channel

Технологии MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C 110A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.) 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs 3.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 300 nC @ 10 V

Vgs (макс.) ±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 15800 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов -

Рассеиваемая мощность (макс.) 3.75W (Ta), 375W (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Тип крепления Surface Mount

Комплект устройства поставщика TO-263 (D2PAK)

Упаковка / Чехол TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Базовый номер продукта SUM110

Технический паспорт и документы

HTML Спецификация

SUM110N06-3M9H-E3-DG

Технические характеристики

SUM110N06-3M9H

SUM110N06-3M9H

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
ХИТСУС 8541.29.0095

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
SUM110N06-3M9H-E3-DG
SUM110N063M9HE3
SUM110N06-3M9H-E3CT
SUM110N06-3M9H-E3TR
SUM110N06-3M9H-E3DKR

Альтернативные модели

Номер детали
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
Номер части
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
Тип замещения
FDB050AN06A0
onsemi
79
FDB050AN06A0-DG
1.04
MFR Recommended
IPB037N06N3GATMA1
Infineon Technologies
4000
IPB037N06N3GATMA1-DG
0.73
MFR Recommended
PSMN4R6-60BS,118
Nexperia USA Inc.
10374
PSMN4R6-60BS,118-DG
0.87
MFR Recommended
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
8252
PSMN004-60B,118-DG
1.22
MFR Recommended
N0601N-ZK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
1600
N0601N-ZK-E1-AY-DG
1.18
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Блоги и посты