SIHB22N60E-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (462 Рейтинги)

SIHB22N60E-GE3

Обзор продукта

12786144

Номер детали

SIHB22N60E-GE3-DG

Производитель

Vishay Siliconix
SIHB22N60E-GE3

Описание

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Одиночные FET, MOSFET
SIHB22N60E-GE3 Технический паспорт
Количество
Минимум 1

Покупка и запрос

Запрос котировок (RFQ)

Вы можете отправить свой запрос на получение коммерческого предложения (RFQ) непосредственно на странице детали продукта или на странице RFQ. Наша команда продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Мы предлагаем несколько удобных способов оплаты, включая PayPal (рекомендуется для новых клиентов), кредитные карты и банковские переводы (T/T) в USD, EUR, HKD и других валютах.

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

После отправки запроса на получение коммерческого предложения (RFQ) вы получите письмо на свой электронный адрес о том, что мы получили ваш запрос. Если вы его не получили, возможно, наш адрес электронной почты был неправильно определен как спам. Пожалуйста, проверьте папку со спамом и добавьте наш адрес электронной почты [email protected] в белый список, чтобы гарантировать получение нашего коммерческого предложения. В связи с возможными колебаниями запасов и цен, нашей команде продаж необходимо повторно подтвердить ваш запрос или заказ и вовремя отправить вам любые обновления по электронной почте. Если у вас есть другие вопросы или вам нужна дополнительная помощь, пожалуйста, дайте нам знать.

В наличии (Все цены указаны в американских долларах (USD))
  • КОЛ-ВО Целевая цена Итоговая цена
  • 1 3.64 3.64
  • 50 2.98 149.10
  • 100 2.45 244.84
  • 500 2.20 1100.17
  • 1000 1.95 1945.49
  • 2000 1.75 3509.49
  • 5000 1.70 8510.00
Лучшая цена по онлайн-запросу цен (RFQ).
Запросить котировку(Отправка завтра)
Количество
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

SIHB22N60E-GE3 Технические характеристики

Категория ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель Vishay

Упаковка Tube

Серия -

Статус продукта Active

Тип полевых транзисторов N-Channel

Технологии MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C 21A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.) 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 86 nC @ 10 V

Vgs (макс.) ±30V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1920 pF @ 100 V

Функция полевых транзисторов -

Рассеиваемая мощность (макс.) 227W (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления Surface Mount

Комплект устройства поставщика TO-263 (D2PAK)

Упаковка / Чехол TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Базовый номер продукта SIHB22

Технический паспорт и документы

HTML Спецификация

SIHB22N60E-GE3-DG

Технические характеристики

SiHB22N60E

SiHB22N60E

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN EAR99
ХИТСУС 8541.29.0095

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHB22N60EGE3

Альтернативные модели

Номер детали
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
Номер части
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
Тип замещения
R6020KNJTL
Rohm Semiconductor
1540
R6020KNJTL-DG
1.47
MFR Recommended
STB28NM60ND
STMicroelectronics
1427
STB28NM60ND-DG
4.07
MFR Recommended
STB21N65M5
STMicroelectronics
1748
STB21N65M5-DG
2.31
MFR Recommended
R6024ENJTL
Rohm Semiconductor
831
R6024ENJTL-DG
1.59
MFR Recommended
STB30N65M5
STMicroelectronics
Запрос на предложение в Интернете
STB30N65M5-DG
3.04
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Блоги и посты