Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
SIHB22N60E-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
6789 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (472 Рейтинги)
SIHB22N60E-GE3
Обзор продукта
12786144
Номер детали
SIHB22N60E-GE3-DGПроизводитель
Vishay Siliconix
SIHB22N60E-GE3
Описание
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAKИнвентаризация
6789 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
SIHB22N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1920 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB22
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать SIHB22N60E-GE3 Спецификация продукта (PDF)
HTML Спецификация
SIHB22N60E-GE3-DG
Технические характеристики
SiHB22N60E
SiHB22N60E
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHB22N60EGE3
Альтернативные запчасти
Номер детали
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
Номер части
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
Тип замещения
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
我對DiGi Electronics的售後服務非常滿意，每次都讓我感受到專業。
декабря 02, 2025
DiGi Electronics' commitment to customer satisfaction shines through their after-sales service.
декабря 02, 2025
Their quick and effective after-sales support helps us resolve issues without delay.
декабря 02, 2025
The user interface on DiGi's site is sleek, intuitive, and enhances overall shopping convenience.
декабря 02, 2025
I commend their shipping team for their professionalism and punctuality in handling my orders.
Опубликовать оценку
Сообщение об оценке
Please enter your review message.
Пожалуйста, оставляйте честные комментарии и не публикуйте незаконные комментарии.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные характеристики MOSFЕТ Vishay SIHB22N60E-GE3?
Vishay SIHB22N60E-GE3 — это высокопроизводительный N-канальный MOSFЕТ с напряжением до 600 В, постоянным током стока 21 А и низким Rds On — 180 мОм. Он разработан для эффективного переключения и управления мощностью в поверхностных монтажных схемах.
Подходит ли MOSFЕТ Vishay SIHB22N60E-GE3 для высоковольтных силовых приложений?
Да, благодаря напряжению стока-истока 600 В, этот MOSFЕТ идеально подходит для высоковольтных силовых переключателей, инверторов и блоков питания, где важны высокая надежность и выдержка высокого напряжения.
Какие есть варианты совместимости и упаковки для MOSFЕТ Vishay SIHB22N60E-GE3?
MOSFЕТ поставляется в корпусе TO-263 (D2PAK), совместимом со стандартными схемами поверхностного монтажа на печатных платах, что делает его подходящим для компактных и эффективных схемных решений.
Какие преимущества дает использование MOSFЕТ Vishay SIHB22N60E-GE3 в электронных проектах?
Этот MOSFЕТ обеспечивает низкое активное сопротивление, высокую мощность рассеивания — до 227 Вт, а также широкий диапазон рабочих температур — от -55°C до +150°C, что гарантирует эффективную и надежную работу в сложных условиях.
Предоставляет ли Vishay техническую поддержку или послепродажное обслуживание для MOSFЕТ SIHB22N60E-GE3?
Vishay поставляет этот MOSFЕТ как новый оригинальный продукт с соблюдением RoHS3 и в наличии большого ассортимента. Для технической поддержки и консультаций клиенты могут обращаться в службу поддержки Vishay или к авторизованным дилерам.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
SIHB22N60E-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHB22N60E-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
