Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (507 Рейтинги)
SI2387DS-T1-GE3
Обзор продукта
12959113
Номер детали
SI2387DS-T1-GE3-DGПроизводитель
Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3
Описание
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Инвентаризация
15100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
SI2387DS-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
395 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать SI2387DS-T1-GE3 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
SI2387DS
HTML Спецификация
SI2387DS-T1-GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
декабря 02, 2025
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
декабря 02, 2025
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
декабря 02, 2025
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
декабря 02, 2025
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした！
декабря 02, 2025
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
декабря 02, 2025
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
декабря 02, 2025
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные характеристики MOSFET Vishay SI2387DS-T1-GE3 с P-каналом?
Vishay SI2387DS-T1-GE3 — это P-канальный MOSFET с рабочим напряжением 80 В, постоянным током стока 2,1 А (при 25°C) и минимальным Rds(on) 164 мОм при 10 В. Он предназначен для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23 и изготовлен с использованием трапециевой технологии для эффективных переключающих характеристик.
Подходит ли MOSFET Vishay SI2387DS-T1-GE3 для высокочастотных применений?
Да, низкий заряд на затвор (10,2 нК при 10 В) и низкая входная ёмкость (395 пФ при 40 В) делают его подходящим для высокоскоростных переключений и эффективного управления питанием в различных электронных устройствах.
Для каких типичных задач используют P-канальный MOSFET SI2387DS-T1-GE3 в электронных цепях?
Этот P-канальный MOSFET идеально подходит для коммутации нагрузок, управления питанием и работы с высоким уровнем на стороне источника питания в потребительской электронике, автомобильной и промышленной сферах благодаря высокому рабочему напряжению и низкому сопротивлению в режиме включения.
Совместим ли Vishay SI2387DS-T1-GE3 с стандартными технологиями поверхностного монтажа?
Да, устройство выполнено в корпусе SOT-23-3, который широко применяется в поверхностных технологиях, что обеспечивает совместимость со стандартными процессами сборки печатных плат и автоматизированного производства.
Какая техподдержка доступна после продажи MOSFET Vishay SI2387DS-T1-GE3?
Поскольку продукт произведён компанией Vishay и является активным и есть в наличии, техническая поддержка, технические характеристики и гарантийные услуги обычно предоставляются через авторизованных дистрибьюторов и службу поддержки Vishay.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
