SI2387DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (483 Рейтинги)

SI2387DS-T1-GE3

Обзор продукта

12959113

Номер детали

SI2387DS-T1-GE3-DG

Производитель

Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3

Описание

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Одиночные FET, MOSFET
SI2387DS-T1-GE3 Технический паспорт
Количество
Минимум 1

Покупка и запрос

Запрос котировок (RFQ)

Вы можете отправить свой запрос на получение коммерческого предложения (RFQ) непосредственно на странице детали продукта или на странице RFQ. Наша команда продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Мы предлагаем несколько удобных способов оплаты, включая PayPal (рекомендуется для новых клиентов), кредитные карты и банковские переводы (T/T) в USD, EUR, HKD и других валютах.

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

После отправки запроса на получение коммерческого предложения (RFQ) вы получите письмо на свой электронный адрес о том, что мы получили ваш запрос. Если вы его не получили, возможно, наш адрес электронной почты был неправильно определен как спам. Пожалуйста, проверьте папку со спамом и добавьте наш адрес электронной почты [email protected] в белый список, чтобы гарантировать получение нашего коммерческого предложения. В связи с возможными колебаниями запасов и цен, нашей команде продаж необходимо повторно подтвердить ваш запрос или заказ и вовремя отправить вам любые обновления по электронной почте. Если у вас есть другие вопросы или вам нужна дополнительная помощь, пожалуйста, дайте нам знать.

В наличии (Все цены указаны в американских долларах (USD))
  • КОЛ-ВО Целевая цена Итоговая цена
  • 3000 0.12 354.25
  • 6000 0.11 679.07
  • 9000 0.11 946.66
  • 30000 0.10 3010.61
  • 75000 0.10 7150.07
Лучшая цена по онлайн-запросу цен (RFQ).
Запросить котировку(Отправка завтра)
Количество
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

SI2387DS-T1-GE3 Технические характеристики

Категория ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель Vishay

Упаковка Tape & Reel (TR)

Серия TrenchFET® Gen IV

Статус продукта Active

Тип полевых транзисторов P-Channel

Технологии MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C 2.1A (Ta), 3A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.) 4.5V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs 164mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 10.2 nC @ 10 V

Vgs (макс.) ±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 395 pF @ 40 V

Функция полевых транзисторов -

Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления Surface Mount

Комплект устройства поставщика SOT-23-3 (TO-236)

Упаковка / Чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

SI2387DS

HTML Спецификация

SI2387DS-T1-GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Статус REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
ХИТСУС 8541.29.0095

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
Сертификация DIGI
Блоги и посты