Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IRFPE50
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
1435 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (173 Рейтинги)
IRFPE50
Обзор продукта
12868941
Номер детали
IRFPE50-DGПроизводитель
Vishay Siliconix
IRFPE50
Описание
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3Инвентаризация
1435 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AC
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IRFPE50 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IRFPE50
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IRFPE50 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
IRFPE50
HTML Спецификация
IRFPE50-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
*IRFPE50
Альтернативные запчасти
Номер детали
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
Номер части
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
Тип замещения
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
구매 후에 받은 서비스가 정말 만족스러웠어요. 제품 품질도 최고입니다.
декабря 02, 2025
사후 서비스가 정말 뛰어나서 믿고 재구매할 수 있는 곳입니다. 항상 만족스럽습니다.
декабря 02, 2025
客服團隊積極且專業，解決了我所有的疑問。
декабря 02, 2025
DiGi Electronics provides fast troubleshooting assistance that smoothly resolves my concerns.
декабря 02, 2025
I appreciate their commitment to customer satisfaction through excellent logistics tracking.
декабря 02, 2025
Impressive shipping speed and well-designed packaging that prevented any movement or damage.
декабря 02, 2025
DiGi Electronics’s shipping method ensures my components arrive intact and on time.
декабря 02, 2025
Delivery speed was exceptional; I received my order earlier than expected.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные характеристики MOSFЕТ IRFPE50?
IRFPE50 — мощный полевые транзистор типа N-канал с напряжением сток-исток 800 В и постоянным током стока 7,8 А. Он обеспечивает максимально возможную dissipацию мощности в 190 Вт и подходит для высоковольтных переключающих устройств.
Совместим ли MOSFЕТ IRFPE50 с обычными электронными схемами?
Да, IRFPE50 предназначен для монтажа через отверстия и может использоваться в различных схемах силовой электроники, включая высоковольтные источники питания и системы управления моторами. Его технические характеристики позволяют применять его в demanding приложениях, требующих высокой выдержки напряжения и тока.
Какие преимущества даёт использование MOSFЕТ IRFPE50 в моём проекте?
IRFPE50 отличается высокой стойкостью к напряжению, низким Rds(on) при управлении с напряжением 10 В и хорошей теплоотдачей. Его конструкция для монтажа через отверстия обеспечивает надёжное крепление, делая его идеальным для мощных переключателей и работы в условиях высокой температуры.
Есть ли особенности совместимости или заменители для MOSFЕТ IRFPE50?
Да, IRFPE50 совместим с аналогичными высоковольтными MOSFETами, и его заменителями являются, например, STW10NK80Z и IRFPE50PBF. При замене необходимо убедиться, что параметры Vds, Id и тип корпуса соответствуют требованиям вашей схемы.
На что следует обратить внимание перед покупкой MOSFЕТ IRFPE50?
Рассмотрите ваши требования к напряжению и току, диапазон рабочих температур и предпочтения по монтажу. Несмотря на то, что этот транзистор устарел, он всё ещё есть в наличии, и важно убедиться, что он соответствует техническим характеристикам вашего проекта для стабильной работы.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IRFPE50 CAD Models
Vishay Siliconix IRFPE50 PCB symbols & footprints
productDetail
