Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IRFBG30PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
30468 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (314 Рейтинги)
IRFBG30PBF
Обзор продукта
12852836
Номер детали
IRFBG30PBF-DGПроизводитель
Vishay Siliconix
IRFBG30PBF
Описание
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220ABИнвентаризация
30468 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IRFBG30PBF Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
980 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRFBG30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IRFBG30PBF Спецификация продукта (PDF)
HTML Спецификация
IRFBG30PBF-DG
Технические характеристики
IRFBG30
Packaging Information
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRFBG30PBF
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
J'apprécie leur souci du détail pour l'emballage, cela témoigne de leur sérieux et professionnalisme.
декабря 02, 2025
DiGi Electronics maintains a high level of professionalism in all customer interactions.
декабря 02, 2025
Overall, the website's usability and customer service exceeded my expectations.
декабря 02, 2025
Delivery updates were consistent and helped me stay informed without needing to contact support.
декабря 02, 2025
Their customer support after purchase is always prompt and helpful.
декабря 02, 2025
The welcoming staff and affordable prices make DiGi Electronics my top choice.
декабря 02, 2025
I appreciate their attentive after-sales service and quick responses.
декабря 02, 2025
Efficient login and account management features simplify repeat purchases.
декабря 02, 2025
Their after-sales assistance has been consistently reliable.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
В чем основные особенности МОП-транзистора IRFBG30PBF?
IRFBG30PBF — это МОП-транзистор с N-каналом, номинальным напряжением 1000 В и постоянным током стока 3,1 А. Он выполнен в корпусе TO-220AB и подходит для высоковольтных ключевых схем с максимальной рассеиваемой мощностью 125 Вт.
Совместим ли МОП-транзистор IRFBG30PBF с стандартными электронными схемами?
Да, IRFBG30PBF рассчитан на монтаж в through-hole и легко интегрируется в различные схемы силовой электроники. Его максимальное напряжение затвор-исток Vgs составляет ±20 В, что обеспечивает совместимость с типичными управляющими сигналами в большинстве приложений.
Какие типичные области применения для этого МОП-транзистора с напряжением 1000 В?
Этот МОП-транзистор идеально подходит для высоковольтных блоков питания, управления моторами, индукционной печи и других приложений, требующих эффективного переключения высоких напряжений с надежной работой.
В чем преимущества использования МОП-транзистора IRFBG30PBF по сравнению с аналогами?
IRFBG30PBF обладает высоким напряжением 1000 В, низким Rds ON — около 5 Ом, а также прочным корпусом TO-220AB, что делает его подходящим для demanding силовых схем с отличным тепловым режимом и долговечностью.
Как обеспечить правильную работу и безопасность при использовании МОП-транзистора IRFBG30PBF?
Следите за тем, чтобы напряжение затвор-исток не превышало ±20 В, работайте в диапазоне температур от -55°C до +150°C. Правильное теплоотведение и корректное размещение в схеме обеспечат оптимальную работу и долговечность устройства.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IRFBG30PBF CAD Models
Vishay Siliconix IRFBG30PBF PCB symbols & footprints
productDetail
