Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IRF640PBF
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
25400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (168 Рейтинги)
IRF640PBF
Обзор продукта
12867157
Номер детали
IRF640PBF-DGПроизводитель
Vishay Siliconix
IRF640PBF
Описание
MOSFET N-CH 200V 18A TO220ABИнвентаризация
25400 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IRF640PBF Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF640
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IRF640PBF Спецификация продукта (PDF)
HTML Спецификация
IRF640PBF-DG
Технические характеристики
IRF640, SiHF640
Packaging Information
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF640PBF
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
Une entreprise qui garantit une livraison efficace pour répondre à nos besoins urgents.
декабря 02, 2025
They responded to my technical support requests promptly, saving me valuable project time.
декабря 02, 2025
Efficient logistics ensured my order arrived on time, and the support team was always available to help.
декабря 02, 2025
Getting high-value products at such low prices is truly a benefit of shopping here.
декабря 02, 2025
Excellent after-sales service that gives me peace of mind after each purchase.
декабря 02, 2025
I was impressed by their proactive communication and quick turnaround.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные характеристики МОП- транзистора IRF640PBF?
IRF640PBF — это Н-канальный МОП-транзистор с выдержкой по напряжению до 200В и постоянным током стока 18А. Он обладает низким Rds on (максимум 180 мОм при 11А и 10В) и способен рассеивать мощность до 125 Вт, что делает его подходящим для высокомощных приложений.
Совместим ли IRF640PBF с распространёнными электронными компонентами?
Да, IRF640PBF совместим с стандартной монтажной технологией через отверстия и управляется с напряжением затвора до 20В. Его широко используют в схемах силового переключения и усилителях.
Для каких типичных приложений предназначен МОП-транзистор IRF640PBF?
Этот транзистор идеально подходит для блоков питания, управления моторами и высоковольтных коммутирующих схем благодаря своей высокой выдержке по напряжению и эффективной работе в условиях высокой температуры.
Как показывает себя IRF640PBF в термическом управлении?
При правильном теплоотводе IRF640PBF способен рассеивать до 125 Вт и стабильно функционировать в диапазоне температур от -55°C до 150°C, что обеспечивает надежную работу в тяжелых условиях.
На что обратить внимание при покупке IRF640PBF?
При приобретении IRF640PBF убедитесь в соответствии его параметров с требованиями по напряжению и току вашего устройства. В наличии оригинальный компонент в оптовой упаковке, соответствующий стандартам RoHS для безопасного и экологически чистого использования.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IRF640PBF CAD Models
Vishay Siliconix IRF640PBF PCB symbols & footprints
productDetail
