LND150N3-G Microchip Technology
5.0 / 5.0 - (199 Рейтинги)

LND150N3-G

Обзор продукта

12815215

Номер детали

LND150N3-G-DG

Производитель

Microchip Technology
LND150N3-G

Описание

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Инвентаризация

4988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Одиночные FET, MOSFET
LND150N3-G Технический паспорт
Количество
Минимум 1

Покупка и запрос

Запрос котировок (RFQ)

Вы можете отправить свой запрос на получение коммерческого предложения (RFQ) непосредственно на странице детали продукта или на странице RFQ. Наша команда продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Мы предлагаем несколько удобных способов оплаты, включая PayPal (рекомендуется для новых клиентов), кредитные карты и банковские переводы (T/T) в USD, EUR, HKD и других валютах.

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

После отправки запроса на получение коммерческого предложения (RFQ) вы получите письмо на свой электронный адрес о том, что мы получили ваш запрос. Если вы его не получили, возможно, наш адрес электронной почты был неправильно определен как спам. Пожалуйста, проверьте папку со спамом и добавьте наш адрес электронной почты [email protected] в белый список, чтобы гарантировать получение нашего коммерческого предложения. В связи с возможными колебаниями запасов и цен, нашей команде продаж необходимо повторно подтвердить ваш запрос или заказ и вовремя отправить вам любые обновления по электронной почте. Если у вас есть другие вопросы или вам нужна дополнительная помощь, пожалуйста, дайте нам знать.

В наличии (Все цены указаны в американских долларах (USD))
  • КОЛ-ВО Целевая цена Итоговая цена
  • 1 0.55 0.55
  • 25 0.47 11.83
  • 100 0.43 43.24
Лучшая цена по онлайн-запросу цен (RFQ).
Запросить котировку(Отправка завтра)
Количество
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

LND150N3-G Технические характеристики

Категория ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель Microchip Technology

Упаковка Bag

Серия -

Статус продукта Active

Тип полевых транзисторов N-Channel

Технологии MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C 30mA (Tj)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.) 0V

Rds On (макс.) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V

Vgs(th) (Макс) @ Id -

Vgs (макс.) ±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов Depletion Mode

Рассеиваемая мощность (макс.) 740mW (Ta)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления Through Hole

Комплект устройства поставщика TO-92-3

Упаковка / Чехол TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Базовый номер продукта LND150

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Скачать LND150N3-G Спецификация продукта (PDF)

Технические характеристики

LND150

HTML Спецификация

LND150N3-G-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Статус REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
ХИТСУС 8541.21.0095

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Сертификация DIGI
Блоги и посты