LND150K1-G >
LND150K1-G
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
689389 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Запросить котировку (Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
LND150K1-G Microchip Technology
5.0 / 5.0 - (92 Рейтинги)

LND150K1-G

Обзор продукта

12797150

Номер детали

LND150K1-G-DG

Производитель

Microchip Technology
LND150K1-G

Описание

MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3

Инвентаризация

689389 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 500 V 13mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Одиночные FET, MOSFET
LND150K1-G Технический паспорт
Количество
Минимум 1

Покупка и запрос

Контроль качества

Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена

90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.

Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.

Мировая доставка и безопасная упаковка

Международная доставка за 3-5 рабочих дней

100% антистатическая упаковка

Отслеживание в реальном времени для каждого заказа

Безопасная и гибкая оплата

Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое

Все платежи зашифрованы для безопасности

В наличии (Все цены указаны в американских долларах (USD))
  • КОЛ-ВО Целевая цена Итоговая цена
  • 1 4.6947 4.6947
Лучшая цена по онлайн-запросу цен (RFQ).
Запросить котировку (Отправка завтра)
* Количество
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

LND150K1-G Технические характеристики

Категория Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель Microchip Technology

Упаковка Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Серия -

Статус продукта Active

Тип полевых транзисторов N-Channel

Технологии MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C 13mA (Tj)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.) 0V

Rds On (макс.) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V

Vgs(th) (Макс) @ Id -

Vgs (макс.) ±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 10 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов Depletion Mode

Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta)

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления Surface Mount

Комплект устройства поставщика SOT-23-3

Упаковка / Чехол TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Базовый номер продукта LND150

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Скачать LND150K1-G Спецификация продукта (PDF)

Дизайн/спецификация PCN

Die Attach Material Update 22/Jun/2015

Технические характеристики

LND150

Сборка/происхождение PCN

Fab Site Addition 14/Aug/2014

HTML Спецификация

LND150K1-G-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Статус REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
ХИТСУС 8541.21.0095

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
LND150K1-GDKR
LND150K1-GCT
LND150K1-G-DG
LND150K1-GTR

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Fle***eLys
декабря 02, 2025
5.0
Le support après-vente a été très proactif pour assurer ma satisfaction après l'achat.
Stern***unkel
декабря 02, 2025
5.0
Die besten Einkaufserfahrungen gemacht bei DiGi Electronics. Sehr freundliches Team und erschwingliche Preise.
Ho***low
декабря 02, 2025
5.0
Fast and efficient shipping process helps me stay ahead in my projects.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Часто задаваемые вопросы (FAQ)

Каковы основные характеристики MOSFЕТа LND150K1-G с каналом N?

LND150K1-G — это поверхностно-монтированный N-канальный MOSFЕТ с напряжением сток-исток до 500 В, постоянным током стока 13 мА и низким сопротивлением Rds On. Он выполнен в режиме сингл-энд дефицита и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C.

Подходит ли MOSFЕТ LND150K1-G для высоковольтных применений?

Да, данный MOSFЕТ предназначен для высоковольтных приложений, с напряжением сток-исток до 500 В, что делает его подходящим для управления мощностью, стабилизации и других высоковольтных цепей.

Каковы основные преимущества использования MOSFЕТа LND150K1-G в электронных цепях?

LND150K1-G обеспечивает стабильность при высоких напряжениях, низкую теплопотерю и удобство поверхностного монтажа. Его режим с дефицитом позволяет реализовать определённые режимы переключения, что делает его надёжным выбором для различных электронных устройств.

Совместим ли MOSFЕТ LND150K1-G с типовыми схемами печатных плат с поверхностным монтажом?

Да, LND150K1-G поставляется в корпусе SOT-23-3, который широко совместим с стандартными технологиями поверхностного монтажа и процессами сборки печатных плат.

Соответствует ли MOSFЕТ LND150K1-G стандартам охраны окружающей среды и безопасности?

Да, данный MOSFЕТ сертифицирован по стандарту RoHS3, не влияет на REACH и обладает уровнем чувствительности к влаге MSL 1, что обеспечивает соответствие актуальным экологическим и безопасностным требованиям.

Контроль качества (QC)

DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.

Контроль качества
Профилактика подделок и дефектов

Профилактика подделок и дефектов

Всесторонний скрининг для выявления поддельных, восстановленных или дефектных компонентов, чтобы обеспечить поставку только оригинальных и соответствующих деталей.

Визуальный и упаковочный контроль

Визуальный и упаковочный контроль

Проверка электрической эксплуатации

Проверка внешнего вида компонента, маркировки, датировочных кодов, целостности упаковки и согласованности этикетки для обеспечения прослеживаемости и соответствия.

Оценка жизни и надежности

Сертификация DiGi
Блоги и посты
LND150K1-G CAD Models
productDetail
Please log in first.
Еще нет аккаунта? Регистрация