Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
SPP07N60S5
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
16388 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (181 Рейтинги)
SPP07N60S5
Обзор продукта
12855485
Номер детали
SPP07N60S5-DGПроизводитель
Infineon Technologies
SPP07N60S5
Описание
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3Инвентаризация
16388 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
SPP07N60S5 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
970 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP07N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать SPP07N60S5 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
SP(P,I)07N60S5
HTML Спецификация
SPP07N60S5-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SPP07N60S5XTIN
SPP07N60S5IN-NDR
SPP07N60S5BKSA1
SPP07N60S5XTIN-DG
SPP07N60S5IN
SPP07N60S5X
Альтернативные запчасти
Номер детали
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
Номер части
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
Тип замещения
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
DiGi Electronics' staff always maintains a positive attitude, making every interaction pleasant.
декабря 02, 2025
The reliability of DiGi Electronics' products has increased our overall operational efficiency.
декабря 02, 2025
The secure packaging prevents any damages during transit.
декабря 02, 2025
Their products embody precision and robustness, essential for intricate DIY projects.
декабря 02, 2025
My experiences confirm their commitment to prompt delivery and customer satisfaction.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Какие основные характеристики транзистора MOSFET Infineon SPP07N60S5?
SPP07N60S5 — это полевой транзистор N-канального типа с напряжением переключения 650 В и непрерывным током стока 7,3 А. Он предназначен для высоковольтных switched-mode схем с низким Rds(on) и эффективным рассеиванием тепла.
Совместим ли транзистор MOSFET Infineon SPP07N60S5 с обычными схемами?
Да, этот MOSFET выполнен в корпусе TO-220-3 с возможностью монтажа в отверстия, что делает его подходящим для широкого спектра силовой электроники и схем импульсного питания.
Для каких применений подходит транзистор Infineon CoolMOS™ SPP07N60S5?
Этот MOSFET идеально подходит для преобразования высокой мощности, инверторов и приводов двигателей, требующих стабильной работы при температурах до 150°C.
Какие моменты необходимо учитывать при использовании транзистора SPP07N60S5?
Обеспечьте напряжение управления не менее 10 В для оптимальной работы Rds(on) и контролируйте максимальную мощность рассеяния в 83 Вт, чтобы избежать тепловых перегрузок во время эксплуатации.
Где можно приобрести микросхему SPP07N60S5 от Infineon и насколько она доступна?
Микросхема SPP07N60S5 есть в наличии в количестве более 4698 штук. Приобрести её можно у официальных поставщиков электроники или сертифицированных дистрибьюторов для надёжной доставки.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
SPP07N60S5 CAD Models
Infineon Technologies SPP07N60S5 PCB symbols & footprints
productDetail
