Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IRF6691TR1PBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
3705 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (254 Рейтинги)
IRF6691TR1PBF
Обзор продукта
12857091
Номер детали
IRF6691TR1PBF-DGПроизводитель
Infineon Technologies
IRF6691TR1PBF
Описание
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFETИнвентаризация
3705 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IRF6691TR1PBF Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6580 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IRF6691TR1PBF Спецификация продукта (PDF)
HTML Спецификация
IRF6691TR1PBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6691TR1PBFCT
SP001530288
IRF6691TR1PBFTR
IRF6691TR1PBFDKR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
お得な価格で良質な商品を購入できて大満足です。スタッフもフレンドリーで、初めての方でも安心して買い物できると思います。
декабря 02, 2025
Their account managers are attentive and ensure our account needs are met efficiently.
декабря 02, 2025
The shipping was incredibly fast, and the packaging was so robust that nothing was disturbed.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные особенности MOSFЕТ IRF6691TR1PBF?
IRF6691TR1PBF — высокопроизводительный N-канальный MOSFЕТ с максимальным напряжением сток-исток 20В и непрерывным током стока до 32А. Он отличается низким сопротивлением Rds On — 1.8 мОм и исполнением в корпусе DirectFET™ для установки на поверхность, что обеспечивает эффективное управление мощностью в различных схемах.
Подходит ли MOSFЕТ IRF6691TR1PBF для мощных силовых цепей с высоким током?
Да, этот MOSFЕТ способен работать при токах до 180А при температуре корпуса, что делает его идеальным для силовых цепей, требующих автоматического переключения высокого тока и низких потерь на сопротивлении.
Какой диапазон рабочих температур у MOSFЕТ IRF6691TR1PBF?
IRF6691TR1PBF работает в диапазоне температур от -40°C до 150°C, обеспечивая надежную работу в различных условиях теплового режима.
Совместим ли IRF6691TR1PBF с стандартными напряжениями управления затвором?
Да, он поддерживает максимальное напряжение на затворе ±12В и оптимизирован для коммутационных напряжений 4.5В и 10В, что обеспечивает совместимость с обычными драйверами gates.
Какие преимущества дает использование IRF6691TR1PBF в электронике и есть ли он в наличии?
Данный MOSFЕТ обладает низким Rds On, высокой способностью пропускать ток и эффективным рассеиванием мощности, что повышает эффективность вашей схемы. В настоящее время он есть в наличии и подходит для различных профессиональных применений.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IRF6691TR1PBF CAD Models
Infineon Technologies IRF6691TR1PBF PCB symbols & footprints
productDetail
