IPT039N15N5ATMA1 Infineon Technologies
5.0 / 5.0 - (274 Рейтинги)

IPT039N15N5ATMA1

Обзор продукта

12974925

Номер детали

IPT039N15N5ATMA1-DG

Производитель

Infineon Technologies
IPT039N15N5ATMA1

Описание

OPTIMOS 5 POWER MOSFET
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Одиночные FET, MOSFET
IPT039N15N5ATMA1 Технический паспорт
Количество
Минимум 1

Покупка и запрос

Запрос котировок (RFQ)

Вы можете отправить свой запрос на получение коммерческого предложения (RFQ) непосредственно на странице детали продукта или на странице RFQ. Наша команда продаж ответит на ваш запрос в течение 24 часов.

Способ оплаты

Мы предлагаем несколько удобных способов оплаты, включая PayPal (рекомендуется для новых клиентов), кредитные карты и банковские переводы (T/T) в USD, EUR, HKD и других валютах.

ВАЖНОЕ УВЕДОМЛЕНИЕ

После отправки запроса на получение коммерческого предложения (RFQ) вы получите письмо на свой электронный адрес о том, что мы получили ваш запрос. Если вы его не получили, возможно, наш адрес электронной почты был неправильно определен как спам. Пожалуйста, проверьте папку со спамом и добавьте наш адрес электронной почты [email protected] в белый список, чтобы гарантировать получение нашего коммерческого предложения. В связи с возможными колебаниями запасов и цен, нашей команде продаж необходимо повторно подтвердить ваш запрос или заказ и вовремя отправить вам любые обновления по электронной почте. Если у вас есть другие вопросы или вам нужна дополнительная помощь, пожалуйста, дайте нам знать.

В наличии (Все цены указаны в американских долларах (USD))
  • КОЛ-ВО Целевая цена Итоговая цена
  • 2000 3.53 7061.83
Лучшая цена по онлайн-запросу цен (RFQ).
Запросить котировку(Отправка завтра)
Количество
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

IPT039N15N5ATMA1 Технические характеристики

Категория ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель Infineon Technologies

Упаковка Tape & Reel (TR)

Серия OptiMOS™

Статус продукта Active

Тип полевых транзисторов N-Channel

Технологии MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.) 8V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs 3.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id 4.6V @ 257µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 98 nC @ 10 V

Vgs (макс.) ±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 7700 pF @ 75 V

Функция полевых транзисторов -

Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 319W (Tc)

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Тип крепления Surface Mount

Комплект устройства поставщика PG-HSOF-8

Упаковка / Чехол 8-PowerSFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

IPT039N15N5

HTML Спецификация

IPT039N15N5ATMA1-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Статус REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
ХИТСУС 8541.29.0095

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
Сертификация DIGI
Блоги и посты