Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IPT039N15N5ATMA1
Infineon Technologies
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
90074 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (291 Рейтинги)
IPT039N15N5ATMA1
Обзор продукта
12974925
Номер детали
IPT039N15N5ATMA1-DGПроизводитель
Infineon Technologies
IPT039N15N5ATMA1
Описание
OPTIMOS 5 POWER MOSFETИнвентаризация
90074 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IPT039N15N5ATMA1 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 257µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7700 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HSOF-8
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IPT039N15N5ATMA1 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
IPT039N15N5
HTML Спецификация
IPT039N15N5ATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
448-IPT039N15N5ATMA1DKR
SP005597138
448-IPT039N15N5ATMA1TR
448-IPT039N15N5ATMA1CT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
Une équipe de support client très à l'écoute et réactive.
декабря 02, 2025
Die prompte Unterstützung bei jedem Anliegen macht DiGi Electronics zu einem Top-Anbieter.
декабря 02, 2025
The website's design minimizes clutter, making browsing stress-free.
декабря 02, 2025
I am glad to choose DiGi Electronics for their quality and support.
декабря 02, 2025
The packaging was impressive—protective and secure, preventing any damage during transit.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные особенности силового MOSFЕТа Infineon OptiMOS™ 5?
Силовой MOSFЕТ Infineon OptiMOS™ 5 — это высокопроизводительный N-канальный МОП- транзистор с напряжением стока-истока 150 В и постоянным током стока 21 А при 25°C, характеризующийся низким Rds(On) и отличной теплопередачей для эффективных коммутационных приложений.
Совместим ли силовой MOSFЕТ Infineon OptiMOS™ 5 с монтажом на поверхность печатной платы?
Да, этот МОП-транзистор выполнен в корпусе PG-HSOF-8 для монтажа на поверхность, что делает его подходящим для компактных и плотных схем на современных печатных платах.
В каких приложениях рекомендуется использовать MOSFЕТ OptiMOS™ 5?
Этот МОП-транзистор отлично подходит для управления питанием, контроллера двигателей, преобразователей DC-DC и других устройств высокоэффективной комутации благодаря высокой мощности тока и низкому Rds(On).
В чем преимущества использования MOSFЕТа Infineon OptiMOS™ 5 по сравнению с другими типами?
Данный МОП-транзистор обладает низкими потерями на проводимости, высокой теплоотдачей и надежной работой в широком диапазоне температур, что повышает общую эффективность и надежность системы.
Имеется ли у MOSFЕТа OptiMOS™ 5 надежное наличие на складе и техническая поддержка?
Да, продукт находится в активных запасах — более 90 000 единиц, что обеспечивает своевременную доставку и стабильное снабжение для ваших проектов, а также полное соответствие стандарту RoHS.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IPT039N15N5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPT039N15N5ATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
