Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IPB019N06L3GATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
1000100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (358 Рейтинги)
IPB019N06L3GATMA1
Обзор продукта
12857648
Номер детали
IPB019N06L3GATMA1-DGПроизводитель
Infineon Technologies
IPB019N06L3GATMA1
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKИнвентаризация
1000100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IPB019N06L3GATMA1 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 196µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
166 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
28000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB019
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IPB019N06L3GATMA1 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
IPB019N06L3 G
HTML Спецификация
IPB019N06L3GATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB019N06L3 G-DG
IPB019N06L3G
IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 GDKR-DG
IPB019N06L3GATMA1CT
IPB019N06L3 GDKR
IPB019N06L3GATMA1TR
IPB019N06L3 GCT-DG
IPB019N06L3GATMA1DKR
IPB019N06L3 GCT
IPB019N06L3 GTR-DG
SP000453020
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
Die Logistik ist auf höchstem Niveau. Meine Bestellungen kommen immer pünktlich und in einwandfreiem Zustand an.
декабря 02, 2025
DiGi Electronics' quick dispatch and professional follow-up have exceeded my expectations each time.
декабря 02, 2025
I value the consistent quality and support provided by DiGi Electronics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные характеристики транзистора Infineon OptiMOS™ N-канальный MOSFET (IPB019N06L3GATMA1)?
Этот MOSFET обладает напряжением истока-стока 60 В, постоянным током стока 120 А, низким сопротивлением Rds On в 1,9 мОм при напряжении 10 В и мощностью рассеяния до 250 Вт, что делает его подходящим для высокопроизводительных переключающих устройств.
Совместим ли MOSFET Infineon IPB019N06L3GATMA1 с типовыми схемами питания?
Да, этот поверхностный монтируемый MOSFET совместим со стандартными схемами питания, особенно those requiring fast switching and high efficiency благодаря низкому сопротивлению Rds On и диапазону управляющего напряжения 4,5 В и 10 В.
Для каких применений в электронике предназначен этот 60 В MOSFET?
Этот MOSFET широко используется в источниках питания, приводах электромоторов и других высокомощных устройствах переключения благодаря высокой пропускной способности и отличным характеристикам эффективности.
Соответствует ли MOSFET стандартам экологической и безопасности?
Да, он соответствует стандартам RoHS3 и не подвержен требованиям REACH, что подтверждает его экологическую безопасность, а уровень чувствительности к влаге (MSL) равен 1, что обеспечивает надежное использование в промышленности.
Как упаковка этого MOSFET облегчает сборку и производство?
Устройство поставляется в упаковке Tape & Reel (TR) с корпусом PG-TO263-3 (D2PAK), что обеспечивает простую автоматическую установку на плату и высокопроизводительный массовый выпуск.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IPB019N06L3GATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPB019N06L3GATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
