Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
IPB015N08N5ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
90022 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 80 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (159 Рейтинги)
IPB015N08N5ATMA1
Обзор продукта
12862186
Номер детали
IPB015N08N5ATMA1-DGПроизводитель
Infineon Technologies
IPB015N08N5ATMA1
Описание
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Инвентаризация
90022 Шт Новые Оригиналы В Наличии
N-Channel 80 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
IPB015N08N5ATMA1 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 279µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16900 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Базовый номер продукта
IPB015
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать IPB015N08N5ATMA1 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
IPB015N08N5
HTML Спецификация
IPB015N08N5ATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB015N08N5ATMA1TR
IPB015N08N5ATMA1CT
IPB015N08N5ATMA1DKR
SP001226034
IPB015N08N5ATMA1-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
Je suis toujours confiant dans la sécurité de mes commandes grâce à la qualité de l’emballage.
декабря 02, 2025
Je suis satisfait de la rapidité d'expédition, surtout lors de la dernière commande inopinée juste avant un deadline.
декабря 02, 2025
Their products arrive safely thanks to their careful and complete packaging.
декабря 02, 2025
Fast shipping and attentive customer service make DiGi Electronics my go-to supplier for electronic components.
декабря 02, 2025
Logistics efficiency at DiGi Electronics ensures products arrive on time, every time.
декабря 02, 2025
The value I get from DiGi Electronics’ pricing and packaging quality is unmatched.
декабря 02, 2025
Their responsive after-sales support has saved me in many situations.
декабря 02, 2025
Rapid delivery times coupled with durable parts help me maintain my competitive edge in the industry.
декабря 02, 2025
Prompt and professional support makes any issues easy to resolve.
декабря 02, 2025
Their product quality is evident; they perform flawlessly in my electronic setups.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Какова основная функция MOSFET Infineon OptiMOS™ N-Channel (IPB015N08N5ATMA1)?
Этот MOSFET предназначен для высокотоковых коммутирующих приложений, обеспечивает низкое сопротивление R_{ds} on и высокую эффективность для управления питанием в электронных устройствах.
Совместим ли MOSFET IPB015N08N5ATMA1 с стандартными процессами монтажа поверхностей?
Да, этот MOSFET выполнен в корпусе PG-TO263-7 (D2PAK), что делает его подходящим для монтажа на поверхность в различных электронных сборках.
Какие основные характеристики этого MOSFET от Infineon с напряжением 80 В и током 180 А?
Устройство поддерживает напряжение сток-исток 80 В, постоянный ток стока 180 А при температуре 25°C, и имеет максимальную мощность рассеяния 375 Вт. При этом сопротивление R_{ds} on составляет всего 1,5 мОм при токе 100 А и напряжении 10 В.
Как низкое сопротивление R_{ds} on этого MOSFET влияет на дизайн моей электронной схемы?
Низкое сопротивление R_{ds} on снижает потери на проводимость, повышая эффективность и уменьшая теплообразование, что особенно важно при использовании в приложениях с высокой токовой нагрузкой.
Какие гарантии и техническая поддержка предоставляются для этого MOSFET?
Будучи новым оригинальным товаром от Infineon, этот MOSFET поставляется с стандартной технической поддержкой производителя. Статус продукта — активен, что обеспечивает надежные поставки и техническую помощь.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
IPB015N08N5ATMA1 CAD Models
Infineon Technologies IPB015N08N5ATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
