Профилактика подделок и дефектов
Визуальный и упаковочный контроль
Проверка электрической эксплуатации
Служебная почта:
[email protected]
>
BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
2100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Запросить котировку
(Отправка завтра)
*Количество
Минимум 1
Минимум 1
5.0 / 5.0
- (225 Рейтинги)
BSZ086P03NS3EGATMA1
Обзор продукта
12853887
Номер детали
BSZ086P03NS3EGATMA1-DGПроизводитель
Infineon Technologies
BSZ086P03NS3EGATMA1
Описание
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSONИнвентаризация
2100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Покупка и запрос
Гарантия и возвраты
Как заказать
Доставка и доставка
Контроль качества
Гарантия качества 365 дней - Каждая деталь полностью подтверждена
90-дневный возврат или обмен — Дефектные запчасти? Без проблем.
Ограниченный запас, Закажите сейчас — Получите надежные запчасти без волнений.
Мировая доставка и безопасная упаковка
Международная доставка за 3-5 рабочих дней
100% антистатическая упаковка
Отслеживание в реальном времени для каждого заказа
Безопасная и гибкая оплата
Кредитная карта, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, телеграфный перевод (Т/Т) и многое другое
Все платежи зашифрованы для безопасности
BSZ086P03NS3EGATMA1 Технические характеристики
Категория
Транзисторы, ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.1V @ 105µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4785 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSZ086
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Скачать BSZ086P03NS3EGATMA1 Спецификация продукта (PDF)
Технические характеристики
BSZ086P03NS3E G
HTML Спецификация
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSZ086P03NS3E GCT-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
BSZ086P03NS3EG
BSZ086P03NS3EGATMA1CT
BSZ086P03NS3E G-DG
SP000473016
BSZ086P03NS3E GDKR-DG
BSZ086P03NS3E G
BSZ086P03NS3E GCT
BSZ086P03NS3E GDKR
BSZ086P03NS3E GTR-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
декабря 02, 2025
他們的物流效率很高，買完商品幾天內就到手了，非常方便。
декабря 02, 2025
DiGi Electronics offre un service après-vente exceptionnel et un personnel très attentif.
декабря 02, 2025
The seamless tracking system gave me confidence that my order was handled with care from dispatch to delivery.
декабря 02, 2025
Their products are robust and built to last, showcasing excellent quality.
декабря 02, 2025
Shipping was fast and secure, giving me peace of mind.
декабря 02, 2025
My emergency order was fulfilled very efficiently.
декабря 02, 2025
I am continually impressed by Di Digi Electronics’ dedication to quality customer service after the sale.
декабря 02, 2025
Their efficient shipping process helps me fulfill my customers faster.
декабря 02, 2025
Affordable prices without compromising on product safety and durability—well done, DiGi Electronics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Часто задаваемые вопросы (FAQ)
Каковы основные характеристики MOSFET Infineon OptiMOS™ P-Channel (BSZ086P03NS3EGATMA1)?
Этот P-канальный MOSFET обладает напряжением сток-исток 30 В, постоянным током стока 13,5 А (при температуре окружающей среды), и 40 А (при температуре корпуса). Статическое сопротивление Rds On составляет всего 8,6 мОм при токе 20 А и напряжении 10 В. Он подходит для высокоэффективных коммутирующих применений и выполнен в компактной поверхности-монтируемой упаковке PG-TSDSON-8.
Совместим ли MOSFET Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 с управляющими напряжениями 6 В и 10 В?
Да, данный MOSFET эффективно управляется при напряжениях gate 6 В и 10 В, что обеспечивает надежное переключение и низкое Rds On при различных условиях цепи.
Для каких применений подходит MOSFET Infineon OptiMOS™ P-Channel?
Этот MOSFET идеально подходит для коммутации нагрузок, управления питанием и защиты от обратной полярности в бытовой электронике, автотранспорте и промышленном оборудовании благодаря высокой пропускной способности и низкому сопротивлению при включении.
Какие типы корпусов доступны для MOSFET BSZ086P03NS3EGATMA1, и как его правильно монтировать?
MOSFET поставляется в упаковке PowerTDFN (PG-TSDSON-8), предназначенной для поверхностного монтажа, что обеспечивает удобство автоматизированной сборки и отличную теплопроводность при правильной установке на плату.
Соответствует ли MOSFET Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1 стандартам RoHS и требованиям безопасности?
Да, этот продукт соответствует стандарту RoHS3, не влияет на REACH и имеет уровень чувствительности к влаге 1, что гарантирует его соответствие экологическим и безопасностным нормативам для электронных компонентов.
Контроль качества (QC)
DiGi обеспечивает качество и подлинность каждого электронного компонента посредством профессиональных проверок и выборочного тестирования партии, гарантируя надежное происхождение, стабильную работу и соответствие техническим характеристикам, помогая клиентам снизить риски в цепочке поставок и уверенно использовать компоненты в производстве.
BSZ086P03NS3EGATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ086P03NS3EGATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
